产 品 资 料
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RoHS:调查中
256Kb 并行EEPROM
PDIP-28;4.5V~5.5V
32Kbx8;150ns
-40℃~+85℃ -
RoHS:调查中
64Kb 并行EEPROM
PDIP-28;4.5V~5.5V
8Kbx8;150ns
0℃~+70℃
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RoHS:调查中
64Kb 并行EEPROM
PDIP-28;4.5V~5.5V
8Kbx8;120ns
0℃~+70℃
-
RoHS:否
64Kb Bytewide FRAM存储器
SOIC-28;4.5V~5.5V
120ns;-40℃~+85℃
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RoHS:调查中
256Kb Bytewide FRAM存储器
SOIC-28;4.5V~5.5V
70ns;-40℃~+85℃
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RoHS:调查中
256Kb Bytewide FRAM存储器
SOIC-28;3.0V~3.65V
70ns;-40℃~+85℃
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RoHS:是
DataFlash®带2个SRAM
数据缓冲区的串行接口Flash
SOIC-8;2.7V~3.6V
并行NOR FLASH;SPI;16Mb
128Kx16bit;-40℃~+85℃ -
RoHS:是
DataFlash®带2个SRAM
数据缓冲区的串行接口Flash
VDFN-8;2.7V~3.6V
SPI;16Mb;128Kx16bit
并行NOR FLASH;-40℃~+85℃ -
RoHS:否
16Mb引导扇区Flash存储器
3.0V;2M×8bit/1M×16bit
TSOP-48;扇区类型:TOP引导扇区
并行NOR FLASH;0℃~+70℃













